Co přesně je polovodič třetí generace?

Když uvidíte polovodiče třetí generace, určitě se divíte, jaké byly první a druhé generace. „Generace“ je zde klasifikována na základě materiálů používaných ve výrobě polovodičů. Prvním krokem ve výrobě čipů je extrahování vysoce čistého křemíku z písku. Silicon je jedním z prvních materiálů pro výrobu polovodičů a také první generace polovodičů.

Rozlišovat podle materiálů:

Polovodiče první generace:Jako polovodičové suroviny byly použity křemík (SI) a germanium (GE).

Polovodiče druhé generace:Použití arzenidu gallia (GaAs), fosfidu india (INP) atd. Jako polovodičové suroviny.

Polovodiče třetí generace:pomocí nitridu gallia (GAN),křemíkový karbid(Sic), selenid zinku (Znse) atd. Jako suroviny.

Charakteristiky třetí generace

• Odolný vůči vysoké teplotě;
• Vysokotlaký odolný;
• Odolat vysokému proudu;
• Vysoká síla;
• Vysoká pracovní frekvence;
• Nízká spotřeba energie a nízká výroba tepla;
• Silná odolnost proti záření

Vezměte například výkon a frekvenci. Křemík, zástupce první generace polovodičových materiálů, má sílu kolem 100 Wz, ale frekvenci pouze asi 3GHz. Zástupce druhé generace, Gallium Arsenid, má sílu menší než 100 W, ale jeho frekvence může dosáhnout 100 GHz. První dvě generace polovodičových materiálů se proto navzájem doplňovaly.

Zástupci polovodičů třetí generace, nitridu gallia a karbidu křemíku, mohou mít výkon přes 1000 W a frekvenci téměř 100 GHz. Jejich výhody jsou velmi zřejmé, takže mohou v budoucnu nahradit první dvě generace polovodičových materiálů. Výhody polovodičů třetí generace jsou do značné míry připisovány jednomu bodu: ve srovnání s prvními dvěma polovodiči mají větší šířku bandgap. Lze dokonce říci, že hlavním indikátorem rozlišování mezi třemi generacemi polovodičů je šířka bandgap.

Vzhledem k výše uvedeným výhodám je třetím bodem, že polovodičové materiály mohou splňovat požadavky moderní elektronické technologie pro tvrdá prostředí, jako je vysoká teplota, vysoký tlak, vysoký výkon, vysoká frekvence a vysoké záření. Proto mohou být široce aplikovány v špičkové průmyslové odvětví, jako je letectví, letectví, fotovoltaická, automobilová výroba, komunikace a inteligentní síť. V současné době vyrábí hlavně zařízení Power Semiconductor.

Karbid křemíku má vyšší tepelnou vodivost než nitrid gallia a náklady na růst s jedním krystalem jsou nižší než náklady na nitrid gallia. V současné době se v současné době používá karbid křemíku hlavně jako substrát pro polovodičové čipy třetí generace nebo jako epitaxiální zařízení v polích s vysokým napětím a vysokou relibilitou, zatímco nitrid gallia se používá hlavně jako epitaxiální zařízení ve vysokofrekvenčních polích.