Oplatka

Oplatkový substrátje wafer vyrobený z polovodičového monokrystalového materiálu. Substrát může přímo vstoupit do procesu výroby destiček za účelem výroby polovodičových součástek, nebo může být zpracován epitaxním procesem za účelem výroby epitaxních destiček.

Wafer Substrát jako základní nosná struktura polovodičových součástek přímo ovlivňuje výkon a stabilitu součástek. Jako "základ" pro výrobu polovodičových součástek je třeba na substrátu provést řadu výrobních procesů, jako je růst tenkého filmu a litografie.

Přehled typů substrátů:

 ●Monokrystalový křemíkový plátek: v současnosti nejběžnější substrátový materiál, široce používaný při výrobě integrovaných obvodů (IC), mikroprocesorů, pamětí, MEMS zařízení, napájecích zařízení atd.;

 ●SOI substrát: používá se pro vysoce výkonné integrované obvody s nízkou spotřebou, jako jsou vysokofrekvenční analogové a digitální obvody, RF zařízení a čipy pro správu napájení;

 ●Složené polovodičové substráty: Substrát arsenidu galia (GaAs): mikrovlnná a milimetrová vlnová komunikační zařízení atd. Substrát nitridu galia (GaN): používá se pro vysokofrekvenční výkonové zesilovače, HEMT atd.Substrát z karbidu křemíku (SiC): používá se pro elektrická vozidla, výkonové měniče a další výkonová zařízení Indium fosfidový substrát (InP): používá se pro lasery, fotodetektory atd.;

 ●Safírový substrát: používá se pro výrobu LED, RFIC (radiofrekvenční integrovaný obvod) atd.;

Vetek Semiconductor je profesionální dodavatel substrátů SiC a SOI v Číně. Náš4H poloizolační SiC substráta4H poloizolační typ SiC substrátjsou široce používány v klíčových součástech zařízení pro výrobu polovodičů. 

Vetek Semiconductor se zavazuje poskytovat pokročilé a přizpůsobitelné produkty Wafer Substrate a technická řešení různých specifikací pro polovodičový průmysl. Upřímně se těšíme, že se staneme vaším dodavatelem v Číně.