Wafer Substrate je wafer vyrobený z polovodičového monokrystalového materiálu. Substrát může přímo vstoupit do procesu výroby destiček za účelem výroby polovodičových součástek, nebo může být zpracován epitaxním procesem za účelem výroby epitaxních destiček.
Wafer Substrát jako základní nosná struktura polovodičových součástek přímo ovlivňuje výkon a stabilitu součástek. Jako "základ" pro výrobu polovodičového zařízení je třeba na substrátu provést řadu výrobních procesů, jako je růst tenkého filmu a litografie.
Přehled typů substrátů
- Monokrystalový křemíkový plátek: v současnosti nejběžnější substrátový materiál, široce používaný při výrobě integrovaných obvodů (IC), mikroprocesorů, pamětí, MEMS zařízení, napájecích zařízení atd.;
- Substrát SOI: používá se pro vysoce výkonné integrované obvody s nízkou spotřebou, jako jsou vysokofrekvenční analogové a digitální obvody, RF zařízení a čipy pro správu napájení;
- Složené polovodičové substráty: Substrát arsenidu galia (GaAs): mikrovlnná a milimetrová vlnová komunikační zařízení atd. Substrát nitridu galia (GaN): používá se pro RF výkonové zesilovače, HEMT atd. Substrát z karbidu křemíku (SiC): používá se pro elektrická vozidla, výkonové měniče a další výkonová zařízení Substrát fosfid india, foto detektor atd.;
- Safírový substrát: používá se pro výrobu LED, RFIC (radiofrekvenční integrovaný obvod) atd.;
Vetek Semiconductor je profesionální dodavatel substrátů SiC a SOI v Číně. Náš 4H poloizolační SiC substrát a 4H poloizolační SiC substrát jsou široce používány v klíčových součástech zařízení na výrobu polovodičů.
Vetek Semiconductor se zavazuje poskytovat pokročilé a přizpůsobitelné produkty Wafer Substrate a technická řešení různých specifikací pro polovodičový průmysl. Upřímně se těšíme, že se staneme vaším dodavatelem v Číně.
Klíčové vlastnosti
- Profesionální dodavatel SiC substrátů (4H N-typ & semi-izolační) a SOI substrátů pro silové, RF a pokročilé IC aplikace.
- Široké portfolio substrátů zahrnující křemík, složené polovodiče (SiC, GaN, GaAs, InP), safír a specializované wafery (PZT, SiN, fiktivní wafery).
- Vysoká kvalita materiálu a procesní konzistence vhodná pro epitaxní růst, výrobu zařízení a řízení procesu zařízení.
- Přizpůsobitelné specifikace a technická řešení přizpůsobená různým požadavkům na výrobu polovodičů.
- Spolehlivá dodávka z Číny s podporou aplikačního inženýrství pro napájecí zařízení, MEMS, LED, RF a tepelné procesní nástroje.
Kategorie produktů
- SiC substráty: 4H N-typ a poloizolační SiC wafery pro výkonová zařízení a RF aplikace
- Substráty SOI: Silikon-on-Isolator wafers pro vysoce výkonné integrované obvody s nízkou spotřebou a RF zařízení
- Speciální / procesní destičky: fiktivní destičky potažené CVD SiC, substráty SiN, piezoelektrické destičky PZT na Si/SOI
- Další kompozitní / safírové substráty: podpora LED, RF a optoelektronických aplikací (jak je uvedeno v přehledu)
Aplikace
Pro splnění různorodých potřeb výroby polovodičů nabízí VeTek cílené produkty Wafer Substrate. Následující tabulka je klasifikuje podle hlavních oblastí použití:
| Oblast použití |
Typické produkty |
Popis aplikace |
| Napájecí zařízení a EV |
4H-SiC substráty (typ N / poloizolační) |
Substráty z karbidu křemíku pro výkonové měniče, elektrická vozidla a vysokonapěťová energetická zařízení vyžadující vysokou teplotu a vysokou účinnost. |
| RF / vysokofrekvenční integrované obvody |
Substráty SOI, substráty příbuzné GaN / GaAs, poloizolační SiC |
Vysoce výkonné nízkopříkonové substráty pro RF zařízení, výkonové zesilovače, HEMT a vysokofrekvenční analogové/digitální obvody. |
| MEMS a senzory |
PZT piezoelektrické destičky (PZT na Si/SOI), SiN substráty |
Piezoelektrické a vysokopevnostní substráty pro MEMS převodníky, senzory, 5G, lékařská a nositelná zařízení vyžadující elektromechanickou konverzi. |
| Řízení a testování procesů |
CVD SiC povlak Dummy wafer |
Falešné a testovací destičky pro kvalifikaci zařízení, monitorování procesu a kontrolu kontaminace ve výrobních linkách polovodičů. |
| LED / Optoelektronika |
Safírové substráty, složené polovodičové substráty (InP atd.) |
Substráty pro výrobu LED, lasery, fotodetektory a RFIC aplikace vyžadující optický a vysokofrekvenční výkon. |
| Pokročilé integrované obvody / logika a paměť |
Monokrystalické křemíkové destičky, substráty SOI |
Mainstreamové a pokročilé substráty pro integrované obvody, mikroprocesory, paměti a čipy pro správu napájení. |
Podrobnější řešení přizpůsobení procesů naleznete v částiEpitaxe karbidu křemíkuaSilikonová epitaxesouvisející stránky.
Jako profesionální výrobce a dodavatel oplatek v Číně máme vlastní továrnu. Ať už potřebujete přizpůsobené služby pro splnění specifických potřeb vašeho regionu nebo si chcete koupit moderní a trvanlivé Wafer vyrobené v Číně, můžetezanechte nám zprávu.
