Desky z nitridu hliníku (AlN).

1. Klíčové vlastnosti a výhody

• Ultra široký bandgap ≈ 6,2 eV – nejvyšší mezi mainstreamovými polovodičovými materiály

• Vysoká tepelná vodivost ≈ 320 W/m·K pro efektivní odvod tepla

• Vynikající elektrická izolace (>10¹³ Ω·cm) a vysoké průrazné pole (12–15 MV/cm)

• Dobrá mřížka a tepelná roztažnost odpovídá GaN – ideální pro heterostruktury GaN-on-AlN

• Možnosti nízké hustoty dislokací s těsným ovládáním kolébavé křivky HR-XRD

• Al-face CMP (Ra ≤ 0,5 nm) a N-face MP pro epi-ready povrchy

• Více velikostí a jakostních stupňů (P / R / D), aby odpovídaly požadavkům výroby a výzkumu

2. Typické aplikace

• Vysoce výkonná RF zařízení pro radarovou a 6G komunikaci

• Vysokonapěťová výkonová elektronika pro rozvodnou síť, datová centra a elektrická vozidla

• Hluboké ultrafialové (UVC) LED a laserové diody

• GaN-on-AlN epitaxní růst a pokročilá heterostrukturní zařízení

• Vysokoteplotní, vysokofrekvenční a drsné polovodičové součástky

3. Dostupné velikosti a stupně kvality

VeTek nabízí AlN wafery v následujících standardních formátech. Vlastní velikosti a specifikace lze projednat na vyžádání.

• čtvercové substráty 10 × 10 mm

• 1-palcový (25,4 mm) destičky

• 2palcové (50,8 mm) destičky

Stupně kvality: P-grade (Product), R-grade (Research), D-grade (Experimental), liší se především HR-XRD houpací křivkou FWHM a celkovou kvalitou krystalu.

4. Klíčové technické specifikace

Společné parametry pro různé velikosti (typické hodnoty; závisí na stupni, kde je uvedeno):

Geometrické tolerance specifické pro velikost:

• 10×10 mm: Délka strany 10 mm ± 0,5 mm; TTV ≤ 15 μm; Úklon ≤ 15 μm

• 1-palcový: Průměr 25,4 mm ± 0,5 mm; Užitná plocha ≥ 90 %; TTV ≤ 20 μm; Úklon ≤ 20 μm; Primární plochý (10-10) ± 5°, délka 8 mm ± 1 mm

• 2 palce: Průměr 50,8 mm ± 0,5 mm; Užitná plocha ≥ 90 %; TTV ≤ 30 μm; Úklon ≤ 30 μm; Primární plochá délka 16 mm ± 2 mm

5. Proč zvolit destičky VeTek AlN?

Jako specializovaný dodavatel pokročilých polovodičových materiálů a součástek poskytuje VeTek Semiconductor:

• Vysoce kvalitní AlN monokrystalické wafery s řízenou kvalitou krystalů a epi-ready povrchy

• Různé velikosti a varianty pro podporu jak výrobních programů, tak výzkumných programů

• Doplňková řešení waferů a substrátů v rámci portfolia polovodičových materiálů VeTek

• Technická podpora pro výběr materiálu a přizpůsobení procesů

Naše AlN wafery pomáhají zákazníkům urychlit vývoj vysoce výkonných RF, vysokonapěťových a hlubokých UV optoelektronických zařízení, která vyžadují jedinečnou kombinaci ultra široké bandgap, vysoké tepelné vodivosti a kompatibility GaN, kterou nabízí nitrid hliníku.