Materiály a design

Výběr vhodné kombinace substrátu a povlaku je klíčem k prevenci předčasného selhání součástí, snížení kontaminace částicemi a maximalizaci výtěžku plátků. Poskytujeme na míru šitá materiálová a konstrukční řešení v rámci konkrétního procesního okna zákazníka (provozní teplota, chemie reaktivních plynů, rychlost rampy).

Naše hlavní konstrukční schopnosti:

• Přísné CTE Stress Matching:Pro rychlé tepelné cykly (>100 °C/min) přesně přizpůsobujeme teplotní křivky CTE vysoce čistých grafitových substrátů a CVD povlaků, čímž zásadně snižujeme riziko delaminace povlaku a mikroprasknutí.
• Výběr povlaku podle procesu-scénáře:CVD povlak SiC pro epitaxi Si/SiC (Epi), MOCVD a prostředí plazmového leptání; CVD TaC povlak pro vyšší teploty a silně korozivní podmínky (např. růst SiC monokrystalů PVT).
• Řiditelná optimalizace odporu a tepelné vodivosti:Přesné řízení objemového odporu a tepelné vodivosti substrátu a povlaku pro splnění specifických požadavků na elektrické a tepelné pole RF, ESC elektrostatických upínačů nebo topných zón.
• Kontrola zdroje kontaminace a omezení CoO:Vysoce čisté CVD depoziční vrstvy hustě utěsňují porézní grafit, čímž výrazně snižují uvolňování částic, difúzi ultrastopových kovových nečistot a riziko úniku plynů při vysoké teplotě.

Porovnání typického výběru povlaku (průvodce na první pohled)

Skutečný případ a výhody pro zákazníky (zkušenosti):

Přední výrobce SiC epitaxe (Epi):Původní součást používala nevhodně přizpůsobený povlak CVD TaC, což mělo za následek nadměrné namáhání na rozhraní a časté mikrotrhliny při vysoké teplotě. Znovu jsme spustili termodynamické simulace a přešli na aSpeciální vysoce čistý grafitový substrát odpovídající CTE + vyrovnávací vrstva + CVD SiC povlakřešení. Výsledek: průměrná životnost komponentu zvýšena z 200 hodin na 850 hodin; roční frekvence výměny na nástroj klesla ze 40 na 9krát; Úspora nákladů na komplexní vybavení O&M přesáhla 650 000 RMB ročně.

Zpráva o analýze čistoty GDMS pro povlaky TaC a SiC

FAQ

Začněte svou exkluzivní službu