Webové menu

Vyhledávání produktů

Jazyk

produkty
Nosič lodí s vysokou čistotou sic
  • Nosič lodí s vysokou čistotou sicNosič lodí s vysokou čistotou sic
  • Nosič lodí s vysokou čistotou sicNosič lodí s vysokou čistotou sic
  • Nosič lodí s vysokou čistotou sicNosič lodí s vysokou čistotou sic
  • Nosič lodí s vysokou čistotou sicNosič lodí s vysokou čistotou sic

Nosič lodí s vysokou čistotou sic

VeTek Semiconductor nabízí přizpůsobený lodní nosič vysoce čistých SiC plátků. Vyrobeno z vysoce čistého karbidu křemíku, má štěrbiny, které drží destičku na místě a brání jejímu klouzání během zpracování. V případě potřeby je k dispozici také povlak CVD SiC. Jako profesionální a silný výrobce a dodavatel polovodičů je nosič lodí VeTek Semiconductor vysoce čistý SiC wafer cenově konkurenceschopný a vysoce kvalitní. VeTek Semiconductor se těší, že bude vaším dlouhodobým partnerem v Číně.
Odeslat dotaz
Popis výrobku

Veteteksemi High Purity SIC Wafer Boat Nosič je důležitá ložisková složka používaná v žíhacích pecích, difúzních pecích a dalších zařízeních ve výrobním procesu polovodiče. Nosič lodí o destičce s vysokou čistotou je obvykle vyroben z materiálu karbidu křemíku s vysokou čistotou a zahrnuje hlavně následující části:


• Podpůrné tělo lodi: Struktura podobná držáku, speciálně používaná k přepravěkřemíkové destičkynebo jiné polovodičové materiály.


• Struktura podpory: Konstrukce nosné konstrukce umožňuje nést velké zatížení při vysokých teplotách a nedeformuje se ani nepoškodí během zpracování při vysokých teplotách.


silicon carbide material

materiál karbidu křemíku


Fyzikální vlastnostiRekrystalizovaný karbid křemíku：


Vlastnictví
 Typická hodnota
Pracovní teplota (°C)
 1600 ° C (s kyslíkem), 1700 ° C (redukční prostředí)
SIC obsah
 > 99,96%
Obsah SI zdarma
 < 0,1 %
Hromadná hustota
 2,60-2,70 g/cm3
Zjevná porozita
 <16%
Síla komprese
 > 600 MPa
Pevnost v ohybu za studena
 80-90 MPa (20 ° C)
Pevnost v ohybu za tepla
 90-100 MPa (1400 °C)
Tepelná roztažnost při 1500 ° C.
 4,70*10-6/° C.
Tepelná vodivost @1200 ° C.
 23 W/m•K
Modul pružnosti
 240 GPA
Odolnost tepelného nárazu
 Nesmírně dobré

Pokud jsou požadavky na výrobní proces vyšší,CVD SiC povlakLze provést na nosiči lodí o destičce s vysokou čistotou, aby se čistota dosáhla více než 99,99995%, což dále zlepšilo jeho vysokou teplotu.


Základní fyzikální vlastnosti CVD SIC povlaku:


Vlastnictví
 Typická hodnota
Krystalová struktura
 Polykrystalická fáze FCC β, hlavně (111) orientovaná
Hustota
 3,21 g/cm³
Tvrdost
 Tvrdost 2500 Vickers（zátěž 500g）
Velikost zrn
 2 ~ 10 mm
Chemická čistota
 99,99995%
Kapacita tepla
 640 J · KG-1· K.-1
Sublimační teplota
 2700 ℃
Síla ohybu
 415 MPa RT 4-bodový
Youngův modul
 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Tepelná vodivost
 300 W · m-1· K.-1
Tepelná roztažnost (CTE)
 4,5 × 10-6K-1

Během vysokoteplotního zpracování umožňuje člunový nosič vysoce čistých SiC plátků rovnoměrné zahřívání křemíkového plátku, aby se zabránilo místnímu přehřátí. Kromě toho vysoká teplotní odolnost materiálu karbidu křemíku umožňuje udržovat strukturální stabilitu při teplotách 1200 °C nebo dokonce vyšších.working principle of High purity SiC wafer boat carrier


Během procesu difúze nebo žíhání spolupracuje konzolové pádlo a nosič destiček s vysokou čistotou. ThePádlo konzolyPomalu tlačí nosič destičky SIC destičky s vysokou čistotou, která nese do pecí komory, a zastaví ji na určené poloze pro zpracování. 


Lodní nosič vysoce čistých SiC plátků udržuje kontakt s křemíkovým plátkem a je upevněn ve specifické poloze během procesu tepelného zpracování, zatímco konzolové pádlo pomáhá udržet celou konstrukci ve správné poloze a zároveň zajišťuje rovnoměrnost teploty.


Nosič destiček s vysokou čistotou sic a pádlo konzoly spolupracují na zajištění přesnosti a stability procesu vysoké teploty.


Vetek Semiconductor vám poskytuje přizpůsobený nosič lodí s Wafer na vysoké čistotě podle vašich potřeb. Těšíme se na váš dotaz.


VeTek SemiconductorVysoce čistota sic destička lodí nosiče:

VeTek Semiconductor High purity SiC wafer boat carrier shops

Hot Tags: Lodní nosič oplatek SiC s vysokou čistotou
Související kategorie
Odeslat dotaz
Kontaktní informace
Máte-li dotazy ohledně povlaku karbidu křemíku, povlaku karbidu tantalu, speciálního grafitu nebo ceníku, zanechte nám prosím svůj e-mail a my se vám do 24 hodin ozveme.
Související produkty
Destička z karbidu křemíku
Destička z karbidu křemíku Ukázat více >>
Vysoce čistý nosič destičky karbidu křemíku
Vysoce čistý nosič destičky karbidu křemíku Ukázat více >>
Pádlo z křemíkového karbidu
Pádlo z křemíkového karbidu Ukázat více >>
Člun z karbidu křemíku potažený SiC
Člun z karbidu křemíku potažený SiC Ukázat více >>
Člun z karbidu křemíku pro horizontální pec
Člun z karbidu křemíku pro horizontální pec Ukázat více >>
SIC Pádlo
SIC Pádlo Ukázat více >>
Doporučení pro novinky
Co je sic-potahový grafitový susceptor?
Co je sic-potahový grafitový susceptor?Ukázat více >>
Různé technické trasy sic epitaxiální růstové pece
Různé technické trasy sic epitaxiální růstové peceUkázat více >>
Čínské společnosti údajně vyvíjejí 5nm čipy s Broadcom!
Čínské společnosti údajně vyvíjejí 5nm čipy s Broadcom!Ukázat více >>
Úplné vysvětlení výrobního procesu čipu (1/2): od oplatky po balení a testování
Úplné vysvětlení výrobního procesu čipu (1/2): od oplatky po balení a testováníUkázat více >>
Víte o Susceptoru MOCVD?
Víte o Susceptoru MOCVD?Ukázat více >>
Jak tenký může proces Taiko vyrobit křemíkové oplatky?
Jak tenký může proces Taiko vyrobit křemíkové oplatky?Ukázat více >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept