Technologie a řešení

Technologie a řešení

01 Hranice výkonu CVD SiC, TaC a Solid SiC v procesech epitaxe a leptání
05

01 Hranice výkonu CVD SiC, TaC a Solid SiC v procesech epitaxe a leptání

Výběr správného CVD SiC, povlaku TaC nebo pevného SiC přímo určuje úrovně částic a životnost komponent na epitaxních/leptacích liniích. Tento článek poskytuje jasné hranice výběru podle teploty, atmosféry a procesu v souladu s hlavními řešeními výměny zařízení a klíčovými metrikami, které vám pomohou rychle se rozhodovat a snížit rizika.
Ukázat více
Vodou řízená laserová technologie: Přesné obrábění mikrootvorů pro SiC substráty
06

Vodou řízená laserová technologie: Přesné obrábění mikrootvorů pro SiC substráty

Zjistěte, jak voda řízená laserová technologie VeTek poskytuje jednotné průchozí otvory Φ0,15 mm v 2mm SiC substrátech bez zkosení, minimální HAZ a vysoké výtěžnosti pro polovodičové aplikace.
Ukázat více
Řešení dutého zvedacího kolíku VETEK-AMAT: Vysoce čistý grafitový substrát s CVD SiC povlakem
07

Řešení dutého zvedacího kolíku VETEK-AMAT: Vysoce čistý grafitový substrát s CVD SiC povlakem

Nejnáročnějším technickým problémem pro duté zvedací kolíky polovodičových zařízení není vnější povrchový povlak, ale dosažení stabilního a rovnoměrného CVD povlaku na vnitřní stěně duté konstrukce. Od kontroly stejnoměrnosti povlaku vnitřních stěn až po zajištění čistoty vnitřního otvoru, každý procesní krok přímo ovlivňuje výtěžnost plátku. Tento článek analyzuje hlavní výzvy povlakování vnitřních stěn dutých zvedacích kolíků a klíčové technické cesty.
Ukázat více
X
Používáme cookies, abychom vám nabídli lepší zážitek z prohlížení, analyzovali návštěvnost webu a přizpůsobili obsah. Používáním tohoto webu souhlasíte s naším používáním souborů cookie. Zásady ochrany osobních údajů
OdmítnoutPřijmout