Graphite Disc Přijměte

Vetek Semiconductor's Graphite Disc Susceptor, vysoce výkonný produkt pro pokročilé procesy výroby polovodičů. Náš grafitový diskový susceptor je navržen tak, aby splňoval náročné požadavky průmyslu a poskytoval výjimečný výkon a spolehlivost. Tento grafitový diskový susceptor je OEM pro platformu AIX G5 Planetary Reactor Platform.

Gan-on-Si MOCVD se používá pro produkci LED epitaxiálních a reaktor Aixtron G5 zlepšuje výnos a uniformitu platformy MOCVD. Plně otočený symetrický uniformní vzorec na pěti 200 mm oplatkách s použitím standardního tloušťkového křemíkového substrátu a kontrolu ohýbacího chování oplatky formalizovalo to, co potřebovaly pro výrobu křemíku.

Vysoce čistý grafitový diskový susceptor Vetek Semiconductor pro GaN-on-Si MOCVD, spolehlivé a cenově výhodné řešení pro pokročilé procesy výroby polovodičů.

Náš susceptor s vysokým obsahem grafitového disku je speciálně navržen tak, aby splňoval požadavky procesů GAN-on-SI MOCVD. S jeho výjimečnou tepelnou stabilitou a tepelnou odolností vydrží náročné teplotní podmínky obvykle v rozmezí od 800 ° C do 1100 ° C, což zajišťuje optimální výkon během depozičního procesu.

Vysoce čistý grafitový materiál použitý v našem diskovém susceptoru poskytuje vynikající chemickou odolnost, díky čemuž je kompatibilní s amoniakem (NH3) a prekurzory organických kovů běžně používanými v GaN-on-Si MOCVD. To eliminuje potřebu dalšíhoSic povlaky, snižování výrobních nákladů bez ohrožení výkonu.

Vetetek Semiconductor's High Purity Graphite Disc Susceptor nabízí nákladově efektivní řešení bez kompromitu na kvalitu. Díky jeho spolehlivosti, trvanlivosti a kompatibilitě s procesy GAN-on-SI MOCVD z něj činí preferovanou volbu pro výrobce polovodičů. Důvěřujte Vetek Semiconductor a doručují vysoce výkonné grafitové diskové nárazy pro vaše výrobní potřeby GAN-on-SI MOCVD.