Webové menu

Vyhledávání produktů

Jazyk

Technologie a řešení

Průvodce výběrem

Technologie a trendyŘešeníPrůvodce výběremPřípadové studie
01 Hranice výkonu CVD SiC, TaC a Solid SiC v procesech epitaxe a leptání
05

01 Hranice výkonu CVD SiC, TaC a Solid SiC v procesech epitaxe a leptání

Výběr správného CVD SiC, povlaku TaC nebo pevného SiC přímo určuje úrovně částic a životnost komponent na epitaxních/leptacích liniích. Tento článek poskytuje jasné hranice výběru podle teploty, atmosféry a procesu v souladu s hlavními řešeními výměny zařízení a klíčovými metrikami, které vám pomohou rychle se rozhodovat a snížit rizika.
Ukázat více
Doporučení pro novinky
Jaké jsou rozdíly mezi izotropním grafitem a silikonizovaným grafitem?
Jaké jsou rozdíly mezi izotropním grafitem a silikonizovaným grafitem?Ukázat více >>
Nanomateriály křemíku karbidu
Nanomateriály křemíku karbiduUkázat více >>
Technologie epitaxií ní s nízkou teplotou založenou na GAN
Technologie epitaxií ní s nízkou teplotou založenou na GANUkázat více >>
Jaký je teplotní gradient tepelného pole jedné krystalové pece?
Jaký je teplotní gradient tepelného pole jedné krystalové pece?Ukázat více >>
Co je CVD TAC Coating? - Veteksemi
Co je CVD TAC Coating? - VeteksemiUkázat více >>
Čínské společnosti údajně vyvíjejí 5nm čipy s Broadcom!
Čínské společnosti údajně vyvíjejí 5nm čipy s Broadcom!Ukázat více >>
X
Používáme cookies, abychom vám nabídli lepší zážitek z prohlížení, analyzovali návštěvnost webu a přizpůsobili obsah. Používáním tohoto webu souhlasíte s naším používáním souborů cookie. Zásady ochrany osobních údajů
OdmítnoutPřijmout