TaC potažený grafitový krycí kroužek

Základní technické výhody

• Výjimečná chemická odolnost: Navrženo tak, aby odolalo drsným leptacím plynům (H₂, NH3, HCl) při teplotách mezi 1200 °C a 2000 °C.

• Přizpůsobení tepelné roztažnosti: Náš patentovaný proces CVD zajišťuje, že povlak TaC má optimalizovanou shodu CTE (koeficient tepelné roztažnosti) s grafitovým substrátem, což zabraňuje odlupování nebo praskání během rychlého tepelného cyklování.

• Vynikající kontrola částic: Úplným utěsněním porézního grafitu vrstva TaC eliminuje uvolňování částic, přímo zvyšuje výtěžnost plátků a snižuje prostoje reaktoru.

• Prodloužená životnost: Vysoce odolný povrch proti opotřebení, který odolává opakovaným čisticím cyklům a nabízí výrazně nižší náklady na vlastnictví (CoO) ve srovnání s alternativami bez povlaku nebo s povlakem SiC.

Povlak karbidu tantalu (TaC) na mikroskopickém průřezu

Parametr produktu TaC Coated Graphite Wafer Cover Cover Ring

Proč si vybrat naše krycí kroužky TaC?

Chápeme, že při výrobě polovodičů se spolehlivost rovná ziskovosti. Naše grafitové krycí kroužky s povlakem TaC jsou dávkově testovány na hustotu a čistotu povlaku. Ať už přecházíte z výroby 6palcových plátků na 8palcových nebo optimalizujete vysokoteplotní proces MOCVD, naše kroužky poskytují tepelné a chemické stínění nezbytné pro epitaxi světové třídy.