SIC potažený těsnicí kroužek pro epitaxy

Ⅰ. Co je to těsnicí kroužek potaženého SIC?

SIC potažený těsnicí kroužek (křemíkový karbid potažený těsnění) je přesná těsnicí složka navržená pro vysokou teplotu, vysoce korozivní polovodičová procesní prostředí. Její jádro je prostřednictvím chemického depozice par (CVD) nebo fyzikálního depozice párů (PVD), procesem grafitového nebo uhlíkového kompozitního materiálu substrátového povrchu rovnoměrně pokrytou vrstvou vysoce čistýho karbidu (SIC), tvorbou mechanické pevnosti substrátu a potahování vysoce performance.  

Ⅱ. Složení produktu a základní technologie  

1. materiál substrátu:

Kompozitní materiál grafitového nebo uhlíkového uhlíku: Základní materiál má výhodu vysoké tepelné odolnosti (vydrží více než 2000 ℃) a nízkým koeficientem tepelné roztažnosti, čímž zajišťuje rozměrovou stabilitu za extrémních podmínek, jako je vysoká teplota.  

Přesná struktura obrábění: Konstrukce přesného prstence může být dokonale přizpůsobena dutině polovodičového vybavení, čímž se zajistí rovinnost těsnicího povrchu a dobrou vzduchotěsnost.  

2. funkční povlak:  

Potahování sic s vysokou čistotou (čistota ≥ 99,99%): Tloušťka coaingu je obvykle 10-50 μm, prostřednictvím procesu CVD k vytvoření vrstvy husté neporézní struktury povrchu, což dává povrch těsnění vynikající chemickou inertnost a mechanické vlastnosti.

Ⅲ. Základní fyzikální vlastnosti a výhody

VeteKsemicon's SIC-potažené těsnicí kroužky jsou ideální pro polovodičové epitaxní procesy kvůli jejich vynikajícímu výkonu za extrémních podmínek. Níže jsou uvedeny konkrétní fyzikální vlastnosti produktu:

IV. Základní aplikace ve zpracování polovodičových epitaxy  

Specifické funkce zahrnují hlavně v MOCVD (kovové organické chemické depozice par) a MBE (molekulární paprsek) a další funkce, které se používá hlavně v MOCVD (kovová organická chemická pára) a MBE (Epitaxy Molecular Beam Epitaxy) a dalším zařízením, specifické funkce zahrnují:  

1.. Pádikovní zařízení Reakční komora Ochrana vzduchotěsnosti

Naše těsnicí kroužky potažené SIC zajišťují, že rozměrové tolerance (obvykle v rámci ± 0,01 mm) rozhraní s komorou vybavení (např. Příruba, základní hřídel) jsou co nejmenší přizpůsobením prstencové struktury. 

Současně je těsnicí kroužek přesný pomocí stroje CNC, aby se zajistilo rovnoměrné přizpůsobení kolem celého obvodu kontaktního povrchu, což eliminuje mikroskopické mezery. To účinně zabraňuje úniku procesů procesů (např. H₂, NH₃), zajišťuje čistotu prostředí růstu epitaxiální vrstvy a zlepšuje výnos oplatky.  

Na druhé straně dobrá těsnost plynu může také blokovat vniknutí externích znečišťujících látek (O₂, H₂O), čímž se účinně vyhýbá defektům v epitaxiální vrstvě (jako je dislokace, nerovnoměrné doping nečistot).  

2. Podpora dynamického těsnění s vysokou teplotou  

Přijetí principu synergické anti-deformace synergického substrátu: Vzhledem k nízkému koeficientu grafitového substrátu tepelné roztažnosti (CTE ≈ 4,5 × 10 ° C/° C) je velmi malá a při extrémních vysokých teplotách (＞ 1000 ℃) je pouze 1/5 činící kovové těsnění, a proto je způsobena tepetorovou deformací. V kombinaci s ultra vysokou tvrdostí SIC povlaku (HV2500 nebo více) může účinně odolávat škrábancem na těsnicím povrchu způsobené mechanickými vibracemi nebo dopadem částic a udržovat mikroskopickou rovinnost.

V. Doporučení údržby

1. Pravidelně zkontrolujte opotřebení těsnicího povrchu (doporučuje se čtvrtletní inspekce optického mikroskopu), abyste se vyhnuli náhlému selhání.  

2. Chcete -li odstranit usazeniny, použijte speciální čisticí prostředky (jako je bezvodý ethanol), zakazujte mechanické broušení, abyste zabránili poškození povlaku SIC.