Zprávy

V éře rychlého technologického rozvoje 3D tisk, jako důležitý představitel pokročilé výrobní technologie, postupně mění tvář tradiční výroby. Díky nepřetržité zralosti technologie a snížením nákladů 3D technologie tisku ukázala široké vyhlídky na aplikaci v mnoha oborech, jako je letectví, výroba automobilů, lékařské vybavení a architektonický design, a podpořila inovace a rozvoj těchto průmyslových odvětví.

Samotné jediné krystalové materiály nemohou vyhovět potřebám rostoucí produkce různých polovodičových zařízení. Na konci roku 1959 byla vyvinuta tenká vrstva technologie růstu materiálu s jedním krystalem - epitaxiální růst.

Karbid Silicon je jedním z ideálních materiálů pro výrobu vysokoteplotních, vysokofrekvenčních, vysokoškolských a vysokopěťových zařízení. Za účelem zlepšení účinnosti výroby a snížení nákladů je příprava substrátů karbidu silikonu ve velké velikosti důležitým směrem vývoje.

Podle Overseas News dva zdroje odhalily 24. června, že Bytedance pracuje s americkou společností Chip Design Company Broadcom na vývoji pokročilé výpočetní inteligence (AI) (AI), který pomůže zajistit adekvátní zásobu špičkových čipů uprostřed napětí mezi Čínou a Spojené státy.

Jako přední výrobce v odvětví SIC se dynamika Sanan Optoelectronics v tomto odvětví dostala rozsáhlou pozornost. Nedávno Sanan Optoelectronics zveřejnil řadu nejnovějších vývojů, zahrnující transformaci 8 palců, výrobu nových substrátů, zřízení nových společností, vládních dotací a dalších aspektů.

V růstu monokrystalů SIC a ALN používají metodu fyzického transportu párů (PVT), zásadní roli hrají zásadní složky, jako je kelímky, držák semen a vodicí prsten. Jak je znázorněno na obrázku 2 [1], během procesu PVT je semen krystal umístěn v oblasti nižší teploty, zatímco surovina SIC je vystavena vyšším teplotám (nad 2400 ℃).