Zprávy

Vzhledem k tomu, že proces 8palcového křemíku karbidu (SIC) dozrává, výrobci zrychlují posun z 6 palců na 8 palců. Nedávno na Semiconductor a Resonac oznámila aktualizace o 8palcové produkci SIC.

Tento článek představuje nejnovější vývoj nově navrženého horkostěnného CVD reaktoru PE1O8 italské společnosti LPE a jeho schopnost provádět rovnoměrnou 4H-SiC epitaxi na 200 mm SiC.

S rostoucí poptávkou po SiC materiálech ve výkonové elektronice, optoelektronice a dalších oborech se vývoj technologie růstu monokrystalů SiC stane klíčovou oblastí vědeckých a technologických inovací. Jako jádro zařízení pro růst monokrystalů SiC bude návrhu tepelného pole nadále věnována rozsáhlá pozornost a hloubkový výzkum.

Díky neustálému technologickému pokroku a hloubkovému výzkumu mechanismů se očekává, že heteroepitaxní technologie 3C-SiC bude hrát důležitější roli v polovodičovém průmyslu a bude podporovat vývoj vysoce účinných elektronických zařízení.

Prostorová ALD, prostorově izolovaná depozice atomové vrstvy. Oplatka se pohybuje mezi různými pozicemi a je vystavena různým prekurzorům v každé poloze. Níže uvedený obrázek je srovnání tradičního ALD a prostorově izolovaného ALD.

Německý výzkumný ústav Fraunhofer IISB nedávno provedl průlom ve výzkumu a vývoji technologie povlaku Tantalum Carbide a vyvinul roztok spreje, který je flexibilnější a šetrnější k ekologicky než řešení CVD a byl komercializován.