Vysoce čistý prášek karbidu křemíku (SiC).

Klíčové vlastnosti
• Čistota může dosáhnout až 99,9999 % – to je 6N

• Kovové nečistoty jsou udržovány na nízké úrovni

• Testovací data GDMS jsou k dispozici na vyžádání

• Sublimační chování zůstává konzistentní od šarže k šarži

• Menší riziko kontaminace během zpracování

• Distribuce velikosti částic je řízena

• Můžete také požádat o přizpůsobené velikosti částic

• Kontrola kvality se řídí normami pro polovodiče

Rozsah velikosti částic:

Čistota prášku: 

Technické specifikace:

Aplikace

• SiC Single Crystal Growth (PVT)

• Vodivé a poloizolační SiC substráty

• Polovodičové materiály

• Pokročilá keramika

• Výzkum a vývoj

Proč si vybrat VeTek Semiconductor?

• Pokročilá technologie čištění

• Kontrola kvality polovodičové kvality

• Možnost přizpůsobení velikosti částic

• Stabilní a spolehlivé zásobování

• Technická podpora pro aplikace pro růst krystalů