Zaostřovací kroužek pro leptání je klíčovou součástí pro zajištění přesnosti a stability procesu. Tyto složky jsou přesně sestaveny ve vakuové komoře, aby se dosáhlo jednotného obrábění struktur nanočástic na povrchu oplatky přes přesnou kontrolu distribuce plazmy, teploty okraje a uniformitou elektrického pole.
Monokrystalické prsteny na leptání křemíku jsou nezbytnými součástmi v polovodičových leptacích procesech udržováním stability plazmatického prostředí, ochranou zařízení a oplatky, optimalizací využití zdrojů a přizpůsobení se pokročilým požadavkům na proces. Jeho výkon přímo ovlivňuje výnos a náklady na výrobu čipů.
Lepovaný zaostřovací kroužek, elektroda atd. (Ovládač teploty okraje) jsou jádrem spotřebního materiálu, který zajistí plazmatickou uniformitu, kontrolu teploty a opakovatelnost procesu. Tyto komponenty jsou přesně sestaveny ve vakuové komoře CVD, leptacího a filmového vybavení a přímo určují přesnost a výnos leptání od okraje do středu oplatky.
V reakci na přísnou poptávku po materiálových vlastnostech ve špičkových výrobních procesech se veteksemi inovuje pomocí vysoce čistého monokrystalického křemíku s odporem 10-20Ω · cm pro výrobu zaostřovacích prstenů a podpory spotřebního materiálu. Prostřednictvím kolaborativní optimalizace vědy o materiálech, elektrickém designu a termodynamice je veteksemi schopna vyrábět zaostřovací kroužky a podporovat spotřební materiál. Komplexně překonává tradiční řešení křemenných kmenů k dosažení průlomového zlepšení v dlouhověkosti, přesnosti a nákladové efektivitě.
Srovnání materiálu základního materiálu a optimalizace odporu
Optimalizace odporu + ultra-přesné leštění (RA <0,1 μm) eliminuje mikroboritu a kontaminaci částic, aby se splňovaly standardy Semi F47.
Dielektrická ztráta (tanA <0,001) je vysoce sladěna s dielektrickým prostředím oplatky, zabrání zkreslení elektrického pole okraje a podporuje 3D NAND 89,5 ° ± 0,3 ° svislé leptání hlubokého otvoru.
2. Inteligentní kompatibilita systému
Integrován modulem ovládání teploty ETC ETC, tok chladicího vzduchu je dynamicky upraven termočlánkem a algoritmem AI pro kompenzaci tepelného driftu komory.
Podpora přizpůsobená RF odpovídající síť, vhodná pro mainstreamové stroje, jako jsou AMAT CENTURA, LAM Research Kiyo a ICP/CCP plazmatické zdroje.
3. Komplexní efektivita nákladů
Život monokrystalického křemíku je o 275% delší než u křemene, cyklus údržby je více než 3 000 hodin a komplexní náklady na vlastnictví (TCO) jsou sníženy o 30%.
Služba přizpůsobení gradientu odporu (5-100Ω · CM), přesně odpovídající okně zákaznického procesu (například GAN/SIC široké pásmo mezery Materiály Materiály).
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Používáme cookies, abychom vám nabídli lepší zážitek z prohlížení, analyzovali návštěvnost webu a přizpůsobili obsah. Používáním tohoto webu souhlasíte s naším používáním souborů cookie. Zásady ochrany osobních údajů