CVD SiC potažený grafitový susceptor pro nosič plátků

1. Výhody produktu

• Vysoce čistý materiál:Grafitový materiál polovodičové kvality a hustá struktura povlaku SiC minimalizují rizika kontaminace a zlepšují spolehlivost grafitového susceptoru CVD s povlakem SiC.
• Vynikající tepelná rovnoměrnost:Optimalizovaná grafitová struktura a povlak SiC zajišťují stabilní přenos tepla a rovnoměrné řízení teploty plátku.
• Vynikající chemická odolnost:Hustý povlak SiC nabízí silnou odolnost proti procesním plynům a korozivnímu prostředí.
• Dlouhá životnost:Vysoká tvrdost a odolnost proti opotřebení zlepšují životnost za podmínek epitaxe za vysokých teplot.
• Nízká tvorba částic:Hustý povrch CVD SiC snižuje uvolňování částic a zlepšuje spolehlivost procesu wafer.
• Možnost přizpůsobeného designu:Dostupné v různých velikostech, strukturách a konfiguracích podle požadavků na vybavení.

2. Technické specifikace

3. Aplikace

• Proces epitaxe SiC:Grafitový susceptor se používá jako nosič plátku v zařízení pro epitaxi SiC, který podporuje substráty SiC během vysokoteplotního epitaxního růstu.
• Proces křemíkové epitaxe:Používá se v křemíkových epitaxních reaktorech pro podporu waferů a udržování stabilních tepelných podmínek.
• MOCVD epitaxe:Grafitové susceptory VETEK jsou vhodné pro MOCVD, LED epitaxi, GaN epitaxi, křemíkovou epitaxi a další výrobní procesy polovodičů vyžadující vynikající tepelnou rovnoměrnost a chemickou stabilitu.
• Zařízení na výrobu polovodičů:Kompatibilní s různými platformami epitaxe, včetně LPE horizontálních pecí, Aixtron, NuFlare a souvisejících polovodičových zařízení.

4. Proč zvolit VETEK?

VETEK poskytuje přizpůsobená řešení grafitových susceptorů potažených CVD SiC, která integrují čištění grafitu, přesné obrábění, CVD povlak a kontrolní schopnosti. Naše produkty na bázi grafitových susceptorů polovodičové kvality se vyznačují vysokou čistotou, rovnoměrnou tloušťkou povlaku, vynikajícím tepelným výkonem a dlouhou životností pro náročné aplikace nosičů destiček.