4 palcový izolační tuhá plstění - tělo poskytované polovodičem veteku je tuhý izolační materiál vyrobený z vysoce kvalitního materiálu z uhlíkových vláken. Má vynikající izolační výkon a trvanlivost. Může účinně izolovat teplo, zvuk a šok a je vhodná pro různé aplikace. Vetek Semiconductor se těší na vytvoření dlouhodobého vztahu kooperativního vztahu a stane se partnerem na globálním trhu.
Jako profesionální vysoce kvalitní 4 palcová izolační tuhá plstění - výrobce těla si můžete být jisti, že si koupíte 4 palcovou izolační tuhou plstění - tělo z továrny Vetek Semiconductor.
Izolační tuhá plstění je druh kompozitního izolačního materiálu speciálně navrženého pro extrémní prostředí s vysokou teplotou, použití kompozitního procesu uhlíkových vláken a laminací uhlíkových tkanin, kombinovaných s technologií ošetření karbonizace/grafitizace s vysokou teplotou, má velmi vysokou čistotu (popel ≤ 10 pps), vynikající tepelnou stabilitu a mechanickou pevnost. Materiál je navržen pro použití v tepelných izolačních systémech v pece s monokrystalem pro růst karbidu křemíku (SIC), aby splňovaly náročnou uniformitu tepelného pole, teplotní gradient a požadavky na kontrolu nečistot metody fyzického přenosu par (PVT).
Charakteristiky materiálu a procesu
Kompozitní struktura design
Vyztužení uhlíku na povrchu: Speciálním procesem uhlíkového vlákna a kompozitu uhlíkových látek s vysokou hustotou, povrch za vzniku husté ochranné vrstvy, účinně zabrání vysokoteplotnímu vzduchu a uvolňování vláken, čímž se sníží uvolňování nečistot.
Proces integrace s více vrstvami: Core vrstva je pociťována z uhlíkových vláken a grafitový papír nebo uhlíkový tkaninu je zabudován do středu. Po sekundárním čištění vysoké teploty (≥2000 ℃) je struktura materiálu zhušťována a nečistoty jsou hluboce odstraněny.
Ultra níká čistota nečistot
Obsah popela ≤10 ppm, zajistěte, aby neexistovaly žádné kovové ionty, sio₂ a další nečistoty v prostředí s vysokou teplotou, vyhýbejte se znečištění rozhraní růstu krystalů, zlepšují čistotu monokrystalu křemíkového karbidu a hladinu kontroly defektů 19.
Adaptabilita procesu
Přizpůsobené povrchové úpravy (jako je grafitová fólii, antioxidační povlak), vhodné pro prostředí vakua nebo inertního plynu (AR, N₂), provozní teploty pokrývající 1200 ° C až 3000 ° C.
Parametr hlavního výkonu
Rozsah parametrů indikátoru
Funkce
Hustota
0,42 ~ 0,55 g/cm³
Tepelná vodivost (1500 ℃)
0,10-0,81 w/(m · k)
Ohýbání síly
1,0 ~ 2,66 MPA
Síla tlaku
0,91 ~ 3,2MPa
Odpor
1000 ~ 5000 Ω · mm²/m
Maximální provozní teplota (vakuum)
≥ 3000 ℃
Aplikační pole a výhody
Izolace horkého pole křemíku na karbidu křemíku
Jako základní materiál izolační vrstvy pece může snížit tepelné ztráty, udržovat gradient teploty růstového rozhraní (At≈20-50 ℃/cm) a zajistit, aby byla vyvážena rychlost axiálního/radiálního růstu krystalů.
Používá se s měkkou plsti k vytvoření struktury gradientu, snižuje tepelné napětí a prodlouží životnost tepelného pole.
Konkurenční výhoda
Tepelná stabilita: nízký koeficient tepelné roztažnosti (CTE <2 × 10⁻⁶/℃), vynikající odolnost proti tepelnému šoku, vhodný pro opakované podmínky stoupání a chlazení.
Ekonomika: Ve srovnání s tradičním měkkým plstem se životnost zvyšuje 3-5krát, což snižuje frekvenci výměny horkého pole a výrobních nákladů.
Přizpůsobení: Podporujte válec, deska a další formy zpracování, rozměrová přesnost až ± 0,5 mm, vhodná pro různé návrh pece.
Typický případ aplikace
Vakuové vysokotlaké plynové zhášení pece: Jako tepelný štít snižte spotřebu energie o více než 20%
Růst SIC Crystalického růstu velké velikosti: Pro křišťálové pece 8 palců, odchylka uniformity tepelného pole <1,5%
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Používáme cookies, abychom vám nabídli lepší zážitek z prohlížení, analyzovali návštěvnost webu a přizpůsobili obsah. Používáním tohoto webu souhlasíte s naším používáním souborů cookie. Zásady ochrany osobních údajů