Vodicí kroužek z porézního grafitu

Hlavní výhody produktu

1. Záruka ultra vysoké čistoty a nízké vady

Přijímá proces vakuového vysokoteplotního čištění 3000 ℃ k hlubokému odstranění nekovových nečistot, jako je kyslík a dusík, čímž se zvyšuje čistota produktu na ≥99,9995 %. Odstraňuje nečistoty způsobené krystalovými defekty (např. mikrotubuly, dislokace) ze zdroje, zajišťuje konzistenci a stabilitu elektrických vlastností monokrystalů SiC a pokládá pevný základ pro vysoce kvalitní růst krystalů.

2. Stabilita při velmi vysokých teplotách a přesná regulace tepelného pole

Odolá extrémně vysokým teplotám 2200 ℃ v argonovém nebo vakuovém prostředí, pracuje nepřetržitě a stabilně po dobu více než 1000 hodin bez měknutí nebo deformace. Výrobek má nízký koeficient tepelné roztažnosti, který může účinně zabránit praskání materiálu způsobenému tepelným namáháním. Podporuje návrh gradientní distribuce pórovitosti (15-30 %) a optimalizuje velikost pórů (10-200 μm) v kombinaci se simulační technologií CFD (Computational Fluid Dynamics), řídí kolísání teplotního gradientu v rozmezí ±3℃ a výrazně zlepšuje rovnoměrnost tepelného pole a konzistenci růstu krystalů.

3. Přizpůsobení na míru a plná spokojenost se scénářem

• Přizpůsobení geometrického tvaru: Dokáže přesně zpracovat složité tvary, jako jsou prstencové sudy a vícevrstvé štítové struktury podle struktur pece zákazníků, aby bylo dosaženo dokonalého přizpůsobení a instalace.
• Přizpůsobení povrchového procesu: Poskytuje personalizované služby povrchové úpravy, jako je ultra přesné leštění a speciální nátěry, což výrazně zvyšuje odolnost produktu proti korozi a životnost.

4. Ověření výkonu a vylepšení účinnosti

• Při použití jako součást tepelného pole jádra v procesu krystalizace PVT SiC bylo ověřeno v praktických scénářích:
• Rychlost růstu krystalů je zvýšena o 15%-20% ve srovnání s tradičními grafitovými produkty, což výrazně zkracuje výrobní cyklus.
• Výtěžnost 4palcových monokrystalových destiček SiC přesahuje 90 %, což účinně snižuje výrobní náklady.
• Cyklus údržby zařízení se prodlužuje z konvenčních 3 měsíců na 6 měsíců, což snižuje frekvenci údržby odstávek a zlepšuje efektivitu výroby.
  
  

Aplikační scénáře

• Sestava růstové pece PVT: Slouží jako základní komponenta pro sublimaci materiálu SiC a růst krystalů, poskytuje stabilní a rovnoměrné rozložení tepelného pole pro zajištění hladkého průběhu krystalizačního procesu.
• Součást stínění tepelného pole: Jedinečná porézní struktura může účinně tlumit tepelné namáhání, snížit opotřebení zařízení a prodloužit celkovou životnost zařízení.
• Příslušenství pro podpěru zárodečných krystalů: Má vysokou mechanickou pevnost pro stabilní podporu zárodečných krystalů a zajišťuje přesnost směrového růstu krystalů.
• Plynová difúzní vrstva: Optimalizuje účinnost přenosu plynné fáze, podporuje rovnoměrnou sublimaci a ukládání surovin a dále zlepšuje kvalitu a rychlost růstu monokrystalu.

Technické parametry

Hlavní konkurenční výhody

• Extrémně vysoké teploty: Udržuje strukturální stabilitu při 2200 ℃ bez změkčení nebo deformace, podporuje nepřetržitý provoz po dobu více než 1000 hodin pro splnění extrémních procesních požadavků.
• Customized Thermal Field Solution: Spoléhá na technologii CFD simulace k optimalizaci návrhu gradientu pórů, přesně odpovídá procesním potřebám zákazníků a zlepšuje krystalickou jednotnost a výtěžnost produktu.
• Služba rychlé reakce: Poskytuje testovací služby pro přizpůsobení procesních parametrů a dodává prototypová řešení do 72 hodin, což zákazníkům pomáhá urychlit výzkum, vývoj a výrobní procesy.