Zprávy

Křemenné produkty se široce používají v polovodičovém výrobním procesu kvůli jejich vysoké čistotě, odolnosti vysokoteplotních a silné chemické stability.

Krystalické růstové pece křemíku (SIC) hrají zásadní roli při výrobě vysoce výkonných sic oplatků pro polovodičová zařízení nové generace. Proces růstu vysoce kvalitních krystalů SIC však představuje významné výzvy. Od řízení extrémních tepelných gradientů po snížení defektů krystalů, zajištění jednotného růstu a kontrolu výrobních nákladů, každý krok vyžaduje pokročilá inženýrská řešení. Tento článek bude analyzovat technické výzvy pecí na růstové pece SIC z více perspektiv.

Smart Cut je pokročilý proces výroby polovodičů založený na implantaci iontů a stripování oplatky, speciálně navržený pro výrobu ultratenkých a vysoce jednotných 3C-SIC (krychlového křemíkového karbidu). Může přenášet ultra tenké krystalové materiály z jednoho substrátu do druhého, čímž se poruší původní fyzická omezení a změní celé substrátové průmysl.