Zprávy

V průmyslu polovodičového výroby, jak se velikost zařízení stále zmenšuje, představovala technologie depozice tenkých filmových materiálů bezprecedentní výzvy. Depozice atomové vrstvy (ALD), jako technologie depozice tenkého filmu, která může dosáhnout přesné kontroly na atomové úrovni, se stala nezbytnou součástí výroby polovodičů. Cílem tohoto článku je zavést tok procesu a principy ALD, aby pomohl pochopit jeho důležitou roli při pokročilé výrobě čipů.

Ideální je stavět integrované obvody nebo polovodičová zařízení na dokonalé krystalické základní vrstvě. Proces epitaxe (epi) ve výrobě polovodičů má za cíl nanést jemnou monokrystalickou vrstvu, obvykle asi 0,5 až 20 mikronů, na monokrystalický substrát. Proces epitaxe je důležitým krokem při výrobě polovodičových součástek, zejména při výrobě křemíkových plátků.

Hlavní rozdíl mezi depozicí epitaxy a atomové vrstvy (ALD) spočívá v jejich mechanismech růstu filmu a provozních podmínkách. Epitaxy odkazuje na proces pěstování krystalického tenkého filmu na krystalickém substrátu se specifickým orientačním vztahem a udržování stejné nebo podobné krystalové struktury. Naproti tomu ALD je technika depozice, která zahrnuje vystavení substrátu různým chemickým prekurzorům v sekvenci za vzniku tenkého filmu jedna atomová vrstva najednou.

CVD TAC povlak je proces pro vytvoření hustého a odolného povlaku na substrátu (grafitu). Tato metoda zahrnuje nanášení TaC na povrch substrátu při vysokých teplotách, výsledkem čehož je povlak karbidu tantalu (TaC) s vynikající tepelnou stabilitou a chemickou odolností.

Vzhledem k tomu, že proces 8palcového křemíku karbidu (SIC) dozrává, výrobci zrychlují posun z 6 palců na 8 palců. Nedávno na Semiconductor a Resonac oznámila aktualizace o 8palcové produkci SIC.

Tento článek představuje nejnovější vývoj nově navrženého horkostěnného CVD reaktoru PE1O8 italské společnosti LPE a jeho schopnost provádět rovnoměrnou 4H-SiC epitaxi na 200 mm SiC.