4H substrát SiC typu N

Vetek Semiconductor4H substrát SiC typu NVýrobky mají vynikající elektrické, tepelné a mechanické vlastnosti, takže tento produkt se široce používá při zpracování polovodičových zařízení, která vyžadují vysokou výkon, vysokou frekvenci, vysokou teplotu a vysokou spolehlivost.

Síla rozrušení elektrického pole 4H N-typu SIC je až 2,2-3,0 mV/cm. Tato funkce produktu umožňuje výrobě menších zařízení zvládnout vyšší napětí, takže náš substrát SIC typu 4H se často používá k výrobě MOSFETS, Schottky a JFETS.

Tepelná vodivost destičky 4H N-typu SiC je asi 4,9 W/cm · K, což pomáhá účinně rozptýlit teplo, snižovat hromadění tepla, prodloužit životnost zařízení a je vhodná pro aplikace s vysokou hustotou výkonu.

Kromě toho může vetetek polovodič 4H N-typ sic typu SIC mít stabilní elektronický výkon při teplotách až do 600 ° C, takže se často používá k výrobě vysokoteplotních senzorů a je velmi vhodný pro extrémní prostředí.

Pěstujícím epitaxiální vrstvu křemíkového karbidu na křemíkovým karbidovém substrátu typu N může být dále vyroben do napájecích zařízení, jako je SBD, IGBT atd. -Pomokování přenosu a transformace atd.

Společnost Vetek Semiconductor nadále usiluje o vyšší kvalitu krystalů a kvalitu zpracování, aby vyhovovala potřebám zákazníků. V současné době jsou dostupné jak 6palcové, tak 8palcové produkty. Níže jsou uvedeny základní parametry produktu 6palcového a 8palcového SIC substrátu:

6 LNCH N-typ SIC Substrát Základní specifikace produktu:

8 lnch SiC substrát typu N ZÁKLADNÍ SPECIFIKACE PRODUKTU:

Metoda detekce substrátu 4H N-typu SIC a terminologie: